科眾陶瓷廠(chǎng)之前帶大家了解了什么是氮化鋁陶瓷片，不知道大家是否清楚了一些呢，接下來(lái)讓我們一起了解下氮化鋁陶瓷片有什么優(yōu)勢(shì)呢？
氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢(shì)：
氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢(shì)：
1、氮化鋁粉末純度高，粒徑小，活性大，是制造高導(dǎo)熱氮化鋁陶瓷基片的主要原料。
2、氮化鋁陶瓷基片，熱導(dǎo)率高，膨脹系數(shù)低，強(qiáng)度高，耐高溫，耐化學(xué)腐蝕，電阻率高，介電損耗小，是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。
3、氮化鋁陶瓷片硬度高,超過(guò)傳統(tǒng)陶瓷,是新型的耐磨陶瓷材料,但由于造價(jià)高,只能用于磨損嚴(yán)重的部位.
4、利用AIN陶瓷耐熱耐熔體侵蝕和熱震性，可制作GaAs晶體坩堝、Al蒸發(fā)皿、磁流體發(fā)電裝置及高溫透平機(jī)耐蝕部件，利用其光學(xué)性能可作紅外線(xiàn)窗口。氮化鋁薄膜可制成高頻壓電元件、超大規(guī)模集成電路基片等。
5、氮化鋁電子陶瓷片耐熱、耐熔融金屬的侵蝕，對(duì)酸穩(wěn)定，但在堿性溶液中易被侵蝕。AIN新生表面暴露在濕空氣中會(huì)反應(yīng)生成極薄的氧化膜。 陶瓷注塑利用此特性，可用作鋁、銅、銀、鉛等金屬熔煉的坩堝和燒鑄模具材料。AIN陶瓷的金屬化性能較好，可替代有毒性的氧化鈹瓷在電子工業(yè)中廣泛應(yīng)用。
氮化鋁陶瓷片
氮化鋁半導(dǎo)體陶瓷片性能指標(biāo)：
(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；
(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
(5)光傳輸特性好；
(6)無(wú)毒；
由于具有優(yōu)良的熱、電、力學(xué)性能。氮化鋁陶瓷引起了國(guó)內(nèi)外研究者的廣泛關(guān)注，隨著現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)所用材料的性能提出了更高的要求。氮化鋁陶瓷也必將在許多領(lǐng)域獲得更為廣泛的應(yīng)用！科眾陶瓷廠(chǎng)作為工業(yè)陶瓷廠(chǎng)家可按客戶(hù)圖紙定制多種尺寸多種材料不僅僅是氮化鋁材料的陶瓷片。
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本文“氮化鋁陶瓷片的優(yōu)勢(shì)介紹你所不知道的(圖）”由科眾陶瓷編輯整理，修訂時(shí)間：2020-10-31 14:38:54
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